Rekonfiguration jener Perowskit-Grenzfläche jenseits R4NBr-Zusatzstabilisatoren FAPbI3-basierte Solarzellen


Selbige Arbeit wird von Prof. Qingbo Meng, Prof. Dongmei Lithium (Institut pro Physik, Chinesische Hochschule jener Wissenschaften) und Dr. Hongshi Lithium (Nankai University) geleitet. Grenzflächenstabilität und Leerlaufspannung von Perowskit-Solarzellen wurden hauptsächlich durch Defektzustände in Perowskit-Filmen restriktiv.

Hier hat dies Team von Prof. Meng mit dem Ziel einer herausragenden Grenzflächenpassivierung die Rekonfiguration jener Perowskit-Grenzfläche durch die Wechselwirkung zwischen einer Warteschlange von quartären Ammoniumbromiden (QAB) und Pb-Halogenid (Pb-X)-Oktaedern untersucht. Hinaus jener Perowskitoberfläche kann eine Bromid-Iodid-Substitutionsreaktion oder R4NBr-Additionsreaktion entstehen, die mit jener sterischen Hinderung von quartären Ammoniumkationen zusammenhängt.

Hinaus dieser Sockel werden die Perowskit-Oberflächenmorphologie, Bandstruktur, Wachstumsorientierung und Defektzustände jenseits die R4NBr-Additionsreaktion rekonstruiert. Dieses geordnete Pb-Halogenid-Addukt könnte die unvollkommene Perowskit/Lochtransportschicht-Grenzfläche effektiv reparieren, um nichtstrahlende Rekombination und Ionenmigration pro eine ultralange Ladungsträgerlebensdauer von jenseits 10 us zu unterdrücken.

Die resultierenden Perowskit-Solarzellen erzielen kombinieren Wirkungsgrad von 23,89 % wohnhaft bei einem stationären Wirkungsgrad von 23,70 %. Außerdem können die passivierten Zellen nachher 200 h Firma 86 % jener anfänglichen Vorteil aufrechterhalten.

Selbige Arbeit bietet kombinieren Weg zur Neukonfiguration jener Perowskit-Oberfläche durch QABs. Interessanterweise wurde ein klebriges festes Werkstoff hinaus jener Sockel dieses Pb-X-Addukts weiter verwendet, um photoelektronische Vorrichtungen einzukapseln, die ihre anfängliche Leistung behalten können, selbst nachdem sie pro kombinieren bestimmten Zeitraum in Wasser gelegt wurden.



Forschungsbericht: Rekonfiguration jener Perowskit-Grenzfläche jenseits die R4NBr-Additionsreaktion hin zu effizienten und stabilen FAPbI3-basierten Solarzellen


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Institut pro Physik, Chinesische Hochschule jener Wissenschaften

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